| 型号： | SI3552DV-T1-GE3 | RoHS： | 无铅 / 符合 |
|---|---|---|---|
| 制造商： | Vishay Siliconix | 描述： | MOSFET N/P-CH D-S 30V 6-TSOP |
详细参数 |
数值 |
|---|---|
| 产品分类 | 分离式半导体产品 >> FET - 阵列 |
| SI3552DV-T1-GE3 PDF |  |
| 产品目录绘图 | DV-T1-E3 Series 6-TSOP |
| 标准包装 | 3,000 |
| 系列 | TrenchFET® |
| FET 型 | N 和 P 沟道 |
| FET 特点 | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 2.5A，1.8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 105 毫欧 @ 2.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 3.2nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | - |
| 功率 - 最大 | 1.15W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-TSOP（0.065"，1.65mm 宽） |
| 供应商设备封装 | 6-TSOP |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 其它名称 | SI3552DV-T1-GE3TR |